"

6165金沙总站

"

苏州纳米所两位同学获2022年中国科学院院长优秀奖

  近日,中国科学院公布2022年度“中国科学院院长奖”评审结果,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所2019级韩云飞博士(物理化学专业)、2020级郭小路博士(微电子学与固体电子学专业)获得“院长优秀奖”。 

  获奖者简介:
  韩云飞   
  年级 :19级博士(硕博连读)    专 业 :物理化学    导师:马昌期研究员
  针对大面积柔性有机太阳能电池中柔性电极大面电阻带来的效率损耗以及电池内部柔性电极6165金沙总站-欢迎您!6165金沙总站-欢迎您!、ZnO界面传输层缺陷带来的电荷传输不佳等问题,韩云飞博士系统地研究了ZnO界面层表面缺陷态与效率下降的关系,并提出了利用路易斯酸处理氧化锌的方法,提升了电池光电转换效率和持续光照稳定性。进一步发展了导电聚合物和非晶ITO修饰柔性金属栅线电极技术,解决了金属栅电极的表面不平整以及栅线电极中绝缘基质对电荷提取能力低的问题,成功地获得了大面积高效率的柔性有机太阳能电池。目前以一作或共同一作身份公开发表高水平学术论文5篇,包括Advanced Materials、Advanced Science等期刊。申请国家发明专利3项6165金沙总站-欢迎您!。
  郭小路   
  年级 :20级博士(硕博连读)    专业: 微电子学与固体电子学    导师:孙钱研究员
  郭小路博士及其所在团队成员合作攻关,针对高性能、低成本的硅基GaN纵向功率电子器件制备的关键科学技术问题,先后在材料外延生长、器件关键工艺开发、器件关态电子输运机制及器件动态测试分析等方面取得突破,制备了600 V硅基GaN肖特基势垒二极管及1200 V硅基GaN pn功率二极管,皆为目前公开报道的同类型器件的最高耐压值;基于器件物理的研究,揭示了GaN基纵向功率器件的关态载流子输运机制及高压击穿机制6165金沙总站-欢迎您!,阐明了材料的缺陷对GaN纵向功率电子器件静态、动态电学特性的影响6165金沙总站-欢迎您!。相关工作受到《化合物半导体》杂志专题报道。目前以第一作者在电子器件领域著名刊物IEEE EDL、IEEE TED、APL等发表论文4篇,国内发明专利1项。

附件下载:

6165金沙总站
<track id="l7fpb"><span id="l7fpb"><listing id="l7fpb"></listing></span></track>

      <track id="l7fpb"><form id="l7fpb"></form></track>

        <track id="l7fpb"><big id="l7fpb"><nobr id="l7fpb"></nobr></big></track>

            "